廣工大物理與光電工程學(xué)院丨 科學(xué)技術(shù)成果分享

（一）基于LD/LED光源曝光的無(wú)掩膜數(shù)字光刻技術(shù)

項(xiàng)目負(fù)責(zé)人：周金運(yùn)

【成果簡(jiǎn)介】

高精度、高效低成本和環(huán)保的LD/LED無(wú)掩模數(shù)字光刻技術(shù)，解決照明模組和成像模組的優(yōu)化組合結(jié)構(gòu)配置等問(wèn)題。采用新的技術(shù)方法，開(kāi)發(fā)用于高端電子產(chǎn)品PCB、FPD和MOEMS等光刻生產(chǎn)的的新一代光刻機(jī)。

【核心技術(shù)】

光刻精度介于普通曝光機(jī)和進(jìn)口高端直寫光刻機(jī)之間、進(jìn)行大面積和快速光刻應(yīng)用的光學(xué)模組模塊化技術(shù)。

獨(dú)特的光密度均化和光束整形技術(shù)獲得UV均勻光而形成光源照明模組；利用娓眼點(diǎn)陣成像技術(shù)構(gòu)建兩個(gè)物鏡組，消除格榭效應(yīng)和獲得大面積成像和快速曝光而形成投影光學(xué)成像模組。

【關(guān)鍵科學(xué)問(wèn)題】

從根本上著力解決無(wú)掩模數(shù)字光刻在工業(yè)應(yīng)用中存在的DMD微鏡陣列因衍射而使成像質(zhì)量降低、二進(jìn)制開(kāi)關(guān)因不穩(wěn)定而使光刻難以均勻和足量曝光的兩大科學(xué)技術(shù)難題。

光源照明模組、DMD和投影系統(tǒng)光學(xué)成像模組相互關(guān)聯(lián)融合，建立新型光學(xué)引擎，改善成像質(zhì)量和加強(qiáng)曝光量及其均勻性。建立新型光學(xué)引擎，改善成像質(zhì)量和加強(qiáng)曝光量及其均勻性，建立耦合匹K、物像共軛、部分相干光疊加的新塑成像理論。

（二）壓電傳感器、憶阻器材料與生物醫(yī)學(xué)材料及應(yīng)用

項(xiàng)目負(fù)責(zé)人：唐新桂

【核心技術(shù)】

壓電傳感器在檢測(cè)工程網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)連接與實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)傳輸,解決實(shí)現(xiàn)斷點(diǎn)、缺陷形貌實(shí)時(shí)呈現(xiàn)問(wèn)題。

記憶阻器可以根據(jù)需要讓電流往任意一個(gè)方向流動(dòng)，解決“實(shí)現(xiàn)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的自適應(yīng)功能”的問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)像人腦一樣的學(xué)習(xí)功能。

具有優(yōu)異磁性能的納米粒子的晶粒尺寸大小選擇、表面修飾物篩選與修飾方法選擇，有效提高比表面積攜帶更多治療藥物。

【關(guān)鍵科學(xué)問(wèn)題】

多層復(fù)雜線路結(jié)構(gòu)、缺陷與信息傳輸現(xiàn)狀再現(xiàn)問(wèn)題口憶阻器特性的物理機(jī)制問(wèn)題；納米磁性粒子表面修飾使之溶于溶劑問(wèn)題。

（三）光電半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與器件研發(fā)

項(xiàng)目負(fù)責(zé)人：簡(jiǎn)基康

【核心技術(shù)】

1、發(fā)展出新的合成氮化物功能材料的普適方法，實(shí)現(xiàn)了多種氮化物的有效合成，取得了相關(guān)技術(shù)專利。

2、開(kāi)發(fā)了生長(zhǎng)氮化晶體的新型助溶劑；發(fā)展出生長(zhǎng)1-V1光電半導(dǎo)體低維材料的新普方法。

3、通過(guò)摻雜在多種光電半導(dǎo)體中引入了鐵磁性質(zhì)，并觀察到了新的磁性行為。

4.構(gòu)造了半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)與石墨烯、碳納米管符合復(fù)合材料的光電器件。

【關(guān)鍵科學(xué)問(wèn)題】

1、材料的可控生長(zhǎng)與物性調(diào)控。

2、高性能器件的設(shè)計(jì)構(gòu)造。